Noticias de la industria de RF julio de 2026 | Lanzamientos de productos, avances en GaN y actualizaciones de mercado
2026,08,27
Qorvo destaca la innovación en infraestructura inalámbrica impulsada por IA
Suma Kapilavai, ingeniera senior de marketing de Qorvo, concedió una entrevista exclusiva a EFY en la que analizó la evolución de la infraestructura inalámbrica habilitada para IA, la experiencia de implementación global de 5G, las oportunidades de la industria mmWave y las hojas de ruta tecnológicas para las comunicaciones de próxima generación.
Semiconductores y componentes de RF
Nanjing Guobo logra la primera producción en masa de chip RF GaN-on-Si comercial para terminales inteligentes
Nanjing Guobo Electronics, una subsidiaria del Instituto de Investigación CETC No. 55, completó la entrega de gran volumen del primer chip RF GaN-on-Si del mundo diseñado para terminales inteligentes, lo que marca el primer despliegue comercial de esta categoría de chip en terminales de comunicaciones civiles y de consumo a nivel mundial, rompiendo el monopolio extranjero que había persistido durante décadas en el sector RF GaN.
Ampleon lanza un transistor de potencia RF GaN-SiC de 1,6 kW para aplicaciones industriales
Ampleon presentó un transistor de potencia RF GaN-SiC de 1,6 kW para aplicaciones industriales y científicas, que funciona de 580 a 650 MHz.
Bourns presenta los filtros de paso de banda LTCC para IoT sub-GHz y banda C 5G
Bourns anunció el filtro de paso de banda LTCC modelo FBD1608N080D6: tipo balanceado, que integra balun y adaptación de impedancia para extremos frontales de RF IoT sub-GHz. La compañía también lanzó filtros de paso de banda LTCC para diseños frontales de RF de banda C 5G (modelos FBP1604N470L3, FBP1608N375L3 y FBP2007N470L3).
Foshan Faradi Electronics Co., Ltd
