Junio de 2026 Resumen de noticias de la industria de RF
IMS 2026: el principal evento de RF y microondas del año
El Simposio Internacional de Microondas IEEE (IMS 2026), la reunión más grande del mundo para profesionales de RF y microondas, se llevó a cabo del 7 al 12 de junio en el Centro de Exposiciones y Convenciones de Boston. El evento recibió a más de 8.400 asistentes de 55 países. El programa de este año reflejó cómo la IA, la computación cuántica y 6G se están integrando en la práctica de la ingeniería de RF y microondas, con sesiones plenarias en las que participaron el ganador del Premio Nobel de 2025, John Martinis, y el profesor del MIT, William Oliver. El simposio también incluyó el Simposio RFIC (del 7 al 9 de junio) y la Conferencia ARFTG.
Lanzamientos de productos clave y anuncios de tecnología
Altera presenta el FPGA SoC serie RF directo Agilex 9 de próxima generación
En IMS 2026, Altera anunció la disponibilidad de muestras de ingeniería de sus FPGA SoC Agilex 9 Direct RF-Series, que ofrecen un aumento del 40 % en la capacidad informática por milímetro cuadrado. El dispositivo presenta un 45 % más de densidad lógica y DSP, RF de banda ancha integrada de 64 Gsps y soporte para memoria DDR5/LPDDR5. La producción de silicio y kits de desarrollo está prevista para el tercer trimestre de 2026.
GlobalFoundries califica el embalaje avanzado SLATE™ en la plataforma 9SW
El 23 de junio, GlobalFoundries anunció la preparación para la producción de su tecnología de unión de oblea a oblea SLATE™ en la plataforma 9SW RF-SOI. La tecnología puede reducir el tamaño del troquel hasta en un 45%, apuntando a módulos frontales (FEM) compactos 5G que abarcan rangos de frecuencia sub-8GHz y FR3. Se espera una producción en volumen en la segunda mitad de 2027.
pSemi amplía la cartera UltraCMOS+™ con conmutadores RF de alto aislamiento
pSemi anunció los conmutadores RF PE42544 SP4T y PE42429 SPDT el 4 de junio, que funcionan de 9 kHz a 8,5 GHz con un aislamiento de hasta 46 dB. Ambos dispositivos ofrecen una linealidad líder en la industria (hasta 65 dBm IIP3) y ya están disponibles para muestreo.
Analog Devices presenta avances en transceptores y formación de haces
En IMS 2026, Analog Devices presentó innovaciones que incluyen una unidad de radio ORAN de RF a Ethernet de un solo chip (CMOS FinFET de 16 nm, 4TX/4RX, ancho de banda de 660 MHz) y un transmisor SIP de banda E SiGe que ofrece una potencia de salida de >32 dBm de 71 a 86 GHz.
Finwave Semiconductor presenta interruptores RF de GaN sobre silicio de alta potencia
Finwave presentó ocho nuevos conmutadores de RF de alta potencia en IMS 2026, que ofrecen alta potencia, alta frecuencia, conmutación rápida y rendimiento de banda ancha.
IVWorks establece récord GaN HEMT con 742GHz fmax
Los investigadores fabricaron un transistor GaN con una longitud de puerta de 45 nm y lograron un fmax récord de 742 GHz, estableciendo un nuevo punto de referencia para el rendimiento de RF.
Altum RF presenta MMIC de GaAs y GaN en IMS 2026
Altum RF destacó su cartera de más de 40 MMIC de GaA y GaN que cubren frecuencias desde la banda X hasta más de 100 GHz, dirigidas a aplicaciones SATCOM, telecomunicaciones, radar y prueba y medición.
Prueba y medición
Los actores clave de prueba y medición exhibidos en IMS 2026 incluyeron a Anritsu con su Tensor VNA, Keysight Technologies con diseño de RF y tecnologías de validación 6G, Maury Microwave con soluciones avanzadas de carga y tracción y Rohde & Schwarz.
5G/6G e infraestructura inalámbrica
La tecnología 9SW SLATE de GlobalFoundries admite dispositivos 5G y comunicaciones por satélite de próxima generación. KDDI lanzó una iniciativa RAN Digital Twin para la era 6G el 23 de junio, mientras que e& UAE anunció la primera red comercial U6GHz del mundo, sentando las bases para la era 6G.
Fuentes
todo RF – Cobertura de IMS 2026 y noticias de la industria
Microwave Journal: programa técnico y cobertura de expositores de IMS2026
GlobalFoundries – Anuncio de embalaje SLATE™
Qorvo: cartera de conmutadores SOI RF
pSemi: ampliación de la cartera de conmutadores UltraCMOS+™
Altera – Anuncio de la serie Agilex 9 Direct RF
Dispositivos analógicos – Presentaciones técnicas de IMS 2026
Semiconductor compuesto: registro GaN HEMT
Finwave Semiconductor: cartera de conmutadores RF GaN-on-Si
Foshan Faradi Electronics Co., Ltd
